T세포 특성화 - 활성화, 살해, 소진 및 기억

T세포 특성 분석

T 세포는 감염되거나 암에 걸린 세포의 면역 세포 매개 살해를 조정하고 실행하는 데 근본적입니다. T 세포의 발달 과정에서 표면 마커 발현과 사이토카인 분비의 변화는 기능의 중요한 변화를 가져옵니다. 항원 인식 후, 세포독성 효과 T 세포는 활성화되어 표적 세포 살해 능력을 유도합니다. 반복된 자극은 T 세포 피로로 인한 기능 상실과 궁극적으로 세포 사멸로 이어질 수 있습니다. 항원 제거 후, 일부 효과 T 세포는 생존과 증식 특성을 유지하는 장기 기억 T 세포로 전환됩니다. 이들은 특정 항원에 재노출될 때 신속하게 확장할 수 있는 능력을 통해 지속적인 면역을 제공합니다.

이중특이성 항체, 체크포인트 억제제, CAR-T 세포 등 점점 더 많은 면역 치료법이 T 세포 활성화 및 분화 경로의 다양한 단계를 표적으로 개발되고 있습니다. 이러한 치료제의 목표는 암과 같은 질병을 제거하기 위해 면역 시스템의 자연적 힘을 강화하는 것입니다. T 세포 발달 과정 중 상세한 특성 규명은 개선된 치료제로 이어질 수 있는 더 큰 통찰력을 제공할 잠재력이 있습니다.

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분석 개념

T 세포는 단독으로 또는 표지된 표적 세포의 존재 하에 배양됩니다. 10 µL 샘플은 세포 배양 플레이트에서 채취되어 4개의 다른 인간 T 세포 생물학 키트(T 세포 활성화 키트, T 세포 매개 살해 키트, T 세포 피로 키트 및 T 세포 기억 키트)에 사용됩니다. 이러한 키트는 사용자의 필요에 맞게 혼합 및 매칭할 수 있습니다. 각 키트에는 세포 표면 마커 발현을 프로파일링하기 위한 기본 T 세포 마커를 포함한 고유한 항체 조합과 분비된 사이토카인 농도를 정량화하기 위한 2-플렉스 Qbeads가 결합되어 있습니다. 세포 증식(선택 사항)과 생존력은 각 웰에서 동시에 측정될 수 있습니다.

주요 장점

- 생리학적으로 관련성 있는 세포 모델에서 T 세포의 표현형과 기능 식별
- 다양한 키트를 이용한 고처리량 분석으로 최소한의 시간에 광범위한 T 세포 특성 분석 가능
- 단일 웰에서 다중 면역표현형 분석 및 효과 사이토카인 농도 판독
- 단일 분석 플레이트로 다양한 키트 혼합 및 매칭 가능

추가적인 생물학적 통찰 얻기

PBMCs (120K/well)를 Nuclight Green으로 표지된 Ramos 세포(40K/well)와 공동 배양했습니다. 활성화는 CD3/CD28 Dynabeads, CD3xCD19 BiTE 항체 또는 황색포도상구 장독소 B (SEB)로 유도되었습니다. 60시간에, 10 µL 샘플을 iQue^® 3 고처리량 스크리닝(HTS) 세포계측기를 사용하여 T 세포 활성화, T 세포 매개 살해 및 T 세포 피로 키트로 분석했습니다.

각 활성화제는 서로 다른 CD3+ T 세포 단백질 발현 및 살해 프로파일을 초래했습니다:

농도 의존적 T 세포 활성화를 유도했습니다. 가장 높은 비드 수는 활성화 마커의 가장 큰 % 발현을 보였습니다. 이는 높은 수준의 피로 마커와 상관관계가 있었습니다.
다이나비즈 및 SEB와 비교하여 활성화 및 피로 수준이 현저히 낮은 상태에서 표적 세포 사멸의 가장 큰 증가를 유도했습니다. 이는 BiTE 매개 면역 세포 살해가 더 긴 시간 동안 지속될 수 있음을 시사합니다.
자극이 T 세포 활성화와 최대 살해를 가장 낮은 농도에서도 유발했습니다. 이로 인해 높은 수준의 피로가 발생했습니다.

생산성 잠금 해제

사이토카인 방출은 Nuclight 녹색 표지된 Ramos와 PBMCs(3:1 비율)를 포함하는 공동 배양 분석에서 T 세포 활성화, T 세포 매개 살해 및 T 세포 피로 키트의 Qbeads를 사용하여 측정되었습니다. IFNɣ와 TNFa

농도는 여러 키트에서 측정되므로 모든 키트의 결과가 평균화되었습니다.

각 활성제의 사이토카인 분비에 대한 효과는 표면 단백질 발현에 대한 효과와 비슷했습니다:

사용된 비즈 수의 범위에 걸쳐 사이토카인 방출의 농도 의존적 증가를 유도했다.
다이나비즈 또는 SEB와 비교했을 때 자극된 사이토카인 생성은 일관되게 낮았다(Granzyme B의 최고 농도 제외). 이는 독성 위험(예: 사이토카인 방출 증후군)을 줄이면서 높은 수준의 살해를 달성할 수 있음을 시사한다.
저농도에서도 고수준의 사이토카인 방출을 유도했습니다.

* 검출 상한선에 도달함

표면 단백질 및 사이토카인 발현 동시 정량

PBMCs (120K/well)와 Ramos 세포(3:1 E__PH_0__ 비율)를 3가지 다른 활성제와 공동 배양했습니다. 60시간에 T 세포 메모리 키트를 사용하여 10 µL 샘플을 분석했습니다.

T 세포가 서로 다른 T 기억 표현형으로 발달하면서 표면 마커 발현 변화를 보여주는 모식도. 나이브 T 세포(T_N)에서 줄기세포 기억 T 세포(T_SCM)를 거쳐 중심 기억 T 세포(T_CM), 전이 기억 T 세포(T_TM), 효과 기억 T 세포(T_EM), 말단 효과 T 세포(T_TE)를 거쳐 세포 사멸까지.

T 세포 기억 발달의 각 단계에서 단백질을 발현하는 CD3+ 세포의 % 그래프. IL-10 방출도 함께 표시됨. 청록색 막대는 활성제 없는 대조군. 회색 막대는 각 활성제의 3가지 상승 농도(연한 색에서 진한 색): CD3/CD28 다이나비즈(30K, 120K, 480K 비즈/웰), CD3xCD19 BiTE(0.12, 1.1, 10 ng/mL), SEB(1.2, 11, 100 ng/mL)를 나타냄.

BiTE 항체를 이용한 활성화는 다이나비즈 및 SEB 자극과 비교했을 때 T 기억 세포 발달의 후기 단계(즉, T_EM 및 T_TE)에서 세포 비율이 가장 낮았고, 초기 단계(T_N, T_SCM 및 T_CM)에서는 더 많은 양을 보였습니다. 이는 BiTE 항체를 이용한 자극이 더 높은 수준의 세포 사멸(그림 3에서 보여진 바와 같이)을 유도하고, 항원에 대한 더 강력한 반응을 가능하게 하는 자가 재생 능력을 유지한 T 기억 세포의 더 높은 비율을 초래함을 시사합니다.

유연한 형식 및 감소된 샘플 소비

세포 및 비드 기반 키트를 사용하여 사용자의 필요에 맞는 조합으로 활성화, 살해, 소모 및 기억 특성을 분석하세요.

T 세포 특성화는 부착성 표적 세포주와의 공동 배양 후 수행될 수 있습니다

PBMCs (25K/well)는 부착성 AU565 세포(5K/well)와 공동 배양되었습니다. T 세포 활성화는 SEB로 유도되었습니다. 60시간 후, 표적 및 효과 세포는 T 세포 활성화, T 세포 매개 살해 및 T 세포 피로 키트와 iQue^® 3 HTS 세포 계측기로 최종 분석을 위해 들어올려졌습니다.

SEB 활성화는 표적 세포 살해의 농도 의존적 증가를 유발했습니다. 이는 사용된 모든 SEB 농도에서 CD3+ T 세포의 활성화(CD69, CD25 및 HLA-DR) 및 피로(PD-1, LAG-3 및 TIM-3) 마커의 높은 발현과 동반되었습니다.

T 세포 활성화

나이브 T 세포가 항원과 공동자극 신호에 의해 활성화되면 CD4+ 도움 T 세포와 CD8+ 세포독성 T 세포의 클론 확장이 시작됩니다. T 세포 증식 외에도 다양한 신호 전달 경로가 활성화되어 기능적 세포 표면 마커의 발현과 사이토카인 방출로 이어집니다.

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주문 정보

인간 T 세포 활성화 세포 및 사이토카인 프로파일링 키트
Platform: Compatible with iQue^® 3/iQue^® Screener PLUS VBR configuration
사용 가능한 크기	카탈로그 번호
1 x 96 well	90560
1 x 384 wells	90562

인간 T 세포 매개 살해 키트
Platform: Compatible with iQue^® 3/iQue^® Screener PLUS VBR configuration
사용 가능한 크기	카탈로그 번호
1 x 96 well	97060
1 x 384 wells	97062

인간 T 세포 피로 세포 및 사이토카인 프로파일링 키트
Platform: Compatible with iQue^® 3/iQue^® Screener PLUS VBR configuration
사용 가능한 크기	카탈로그 번호
1 x 96 well	97069
1 x 384 wells	97071

인간 T 세포 기억 세포 및 사이토카인 프로파일링 키트
Platform: Compatible with iQue^® 3/iQue^® Screener PLUS VBR configuration
사용 가능한 크기	카탈로그 번호
1 x 96 well	97035
1 x 384 wells	97037

추가 특성화는 선택적 Q패널 T 헬퍼 키트를 통해 달성할 수 있으며, 자세한 내용은 개별 애플리케이션 페이지를 참조하세요.

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